Re: [新聞] 俄宣佈自研EUV光刻機 陸網民歡呼：老大

※ 引述《xamous (一天死去一點)》之銘言：
: 備註請放最後面 違者新聞文章刪除
: 1.媒體來源:
: 中時
: 2.記者署名:
: 盧伯華
這記者瞞混的，大概也是抄新聞沒看原文或思考

連基本的litho graphy 大概也是是丟google翻譯抄的才會叫光刻，喝喝英文真差

怎麼樣都不可能翻譯成光刻吧？自己看原文不會怪怪的喔？

光刻光刻，兩光刻刻

: 3.完整新聞標題:
: 俄宣佈自研EUV光刻機 陸網民歡呼：老大哥給力 華為有救了！
: 4.完整新聞內文:
: 據陸媒報導，俄羅斯已公佈自主開發EUV（極紫外光）光刻機的路線圖，這款EUV光刻系統: 與艾斯摩（ASML）的標準不同，但其目標是要比ASML的光刻機更便宜、更容易製造。一些: 大陸網民在網上留言對此表示質疑，同時也有網民熱情歡呼：「還是老大哥給力，突破歐: 美光刻機封鎖。中芯國際有救了，華為有救了！」
: 陸媒《芯智訊》引述匯流新聞網Cnews報導稱，俄羅斯自主研發的光刻機採用11.2nm的雷: 射光源，而非ASML標準的13.5nm。這種波長將與現有的EUV設備不相容，需要俄羅斯開發: 自己的光刻生態系統，這可能需要10年或更長時間。
: 報導說，該光刻機開發計劃由俄羅斯科學院微觀結構物理研究所的Nikolay Chkhalo 領導: ，目標是製造出效能具競爭力且具成本優勢的光刻機。它採用11.2nm的氙（xenon）基雷: 射光源，取代ASML 的基於雷射轟擊金屬錫（tin）液滴產生EUV光源的系統。而11.2nm的: 波長能將解析度提升約20%，不僅可以簡化設計並降低光學元件的成本，還能呈現更精細: 的細節。
: 此外，該設計可減少光學元件的污染，延長收集器和保護膜等關鍵零件的壽命。儘管該光: 刻機的晶圓製造產能僅為ASML 裝置的37%，主要因為其光源功率僅3.6千瓦，但也足以應: 付小規模晶片生產需求。
: 報導表示，以11.2nm波長為基礎的工具很難直接相容現有以13.5nm為基礎EUV 架構與生態: 系統，甚至連電子設計自動化（EDA）工具也需要進行更新。雖然現有EDA 工具仍可完成: 邏輯合成、佈局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關鍵製程，需要重新校準或升級為適合: 11.2nm的新製程模型。
: 報導指出，該光刻機的開發工作將分為3個階段，第1階段將聚焦基礎研究、關鍵技術辨識: 與初步元件測試；第2階段將製造晶圓的原型機，並整合至晶片生產線；第3階段的目標是: 打造一套可供工廠使用的系統。不過，目前還不清楚這些新的曝光工具將支援哪些製程技: 術，路線圖也未提到各階段完成的時間表。
: 相關報導在大陸引起不少網民熱烈議論，有網民為此歡呼：「中芯國際有救了，華為有救

: 對此消息冷嘲熱諷的網民留言就更多了：「看，那母豬正在上樹。」「國內已經有了好吧

: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20241220004751-260409
: 6.備註:
: ※ 一個人一天只能張貼一則新聞(以天為單位)，被刪或自刪也算額度內，超貼者水桶，: 請?
: ※ 備註請勿張貼三日內新聞(包含連結、標題等)

-----
Sent from JPTT on my iPhone

--

妳講的那是photoresist，字面上就沒有刻膠的意思 我搜尋了一下，好像是中時集團的大佬，我不太相信這是高層寫出來的文章 太可笑了，抄成這樣

喝喝崩潰喔？台灣從業人員根本不會講光刻機