[情報] 三星全球首秀3nm！電壓只需0.23V
這幾年，台積電在半導體工藝上一路策馬揚鞭，春風得意
能夠追趕的也只有三星了，但是後者的工藝品質一直飽受質疑。
IEEE ISSCC國際固態電路大會上，三星(確切地說是Samsung Foundry)
又首次展示了採用3nm工藝製造的晶片
是一顆256Gb(32GB)容量的SRAM存儲晶片，這也是新工藝落地傳統的第一步。
在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節點
其他則是升級改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。
三星將在3nm工藝上第一次應用GAAFET(環繞柵極場效應電晶體)技術
再次實現了電晶體結構的突破，比現在的FinFET立體電晶體又是一大飛躍。
GAAFET技術又分為兩種類型，一是常規GAAFET，使用納米線(nanowire)作為電晶體的鰭
(fin)
二是MBCFET(多橋通道場效應電晶體)，使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片
(nanosheet)。
三星的第一顆3nm SRAM晶片用的就是MBCFET，容量256Gb，面積56平方毫米
最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電壓只需要區區0.23V，這要感謝MBCFET的多種省電技術。
按照三星的說法，3GAE工藝相比於其7LPP，可將電晶體密度增加最多80％
性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。
或許，這可以讓三星更好地控制晶片功耗、發熱，避免再出現所謂的“翻車”。
三星3nm預計明年投入量產，但尚未公佈任何客戶。
台積電方面，3nm繼續使用FinFET技術，號稱相比於5nm電晶體密度增加70％
性能可提升11％，或者功耗可降低27％，預計今年晚些時候投入試產
明年量產，客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等，甚至據說Intel也會用。
https://news.mydrivers.com/1/744/744941.htm
沒關係 大家都會用 會翻車一起翻 免驚
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漏電幾A不敢寫?
重點良率咧？
漏電大師
反正股價會說話
跑分出來再看看
vth又不是越低越好
噴了一堆晶圓 唯一優良的一片晶片
今年的888...
記憶體跟邏輯應該分開看 吧?
漏電率多少
好的 製造個S888來看看
快做 晶片缺死了！
來個ISB看看
8nm都弄不好
SRAM就是驗證邏輯閘的第一步 這是任何公司都會走的
第一步 能成功表示有一定的可行性了
找到到人封裝嗎
台積用FinFet就做的出來，
三星要用GAA才做的出來，
這個GAP很明顯了
S888真的笑死
最後三星的3nm跟7nm比，然後台積電3nm卻是跟5nm比，
這是怕台積電3nm去跟7nm比會讓三星輸到脫褲嗎???
這個是電不上去的意思?
理論上GAA會比finfet改善漏電
會有多澇賽?
會過熱嗎？！
良性競爭，樂觀看待
三星的數據是跟7nm比較。台積是跟5nm比較。記者這麼
那麼貼心
後面量產的客戶明明是台積的客戶。講的不清不楚。記
者真的很愛三星
明明講三星。卻是台積電開始。台積電結尾。還是記者
太愛台積電了
容量256Gb，面積56平方毫米
讚歐，是不是最後只能做1台呢？
記憶體圖片難度本來就小 邏輯部分才是難點 三爽放S
RAM 業內來看就是避重就輕騙外行人 他們3nm目前還
卡在俄勒岡州談判（要人家州政府給8E鎂補助） 建廠
都還沒一撇 你說明年跟台GG一起量產3nm?
晶片
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