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[情報] 三星發表:以 VTFET 設計實現 1nm 製程

看板PC_Shopping標題[情報] 三星發表:以 VTFET 設計實現 1nm 製程作者
giorno78
(天晴)
時間推噓30 推:35 噓:5 →:51

IBM 和 Samsung 新的電晶體技術可以突破 1nm 以下晶片

https://reurl.cc/emq9DW

IBM 和 Samsung 在美國舊金山舉行的 IEDM 國際電子元件會議上,共同發表名為
Vertical Transport Field Effect Transistors(VTFET)的新晶片設計,是把電晶體以垂直方式推疊,電流也會以垂直的方式通過,與今天通常是以水平方式擺放的不一樣。但為什麼要這樣設計呢?據指有兩個主要好處,一是個這能突破「摩爾定律」對於 1nm 晶片設計的的瓶頸,而更重要的是提升電流並可以減少能源的消耗。

據計算,VTFET 在與 FinFET 電晶體設計相比,能把處理器速度提升兩倍,但同時能耗就減少了 85%。以實用性來說,手機的續航力會最終延長至充一次、使用一週!甚至如果用於挖礦 cryptomining 的用途,就能大大減少區塊鍊、加密貨幣等技術對環境的影響。

不過這次 IBM 和 Samsung 並沒有透露什麼時候會以商用產品上應用 VTFET,只是市場上才不只有他們擁有突破 1nm 的技術,因為 Intel 在 7 月的時候就表示已經完成設計,同時更目標在 2024 年就開始推出「埃」時代的晶片。

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※ PTT留言評論
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.160.21.92 (臺灣)
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※ 編輯: giorno78 (1.160.21.92 臺灣), 12/20/2021 07:57:09

Anderson0819 12/20 08:10哇,那什麼時候良率不會烙賽呢

hbj1941 12/20 08:17理論跟出實驗室是兩回事

spfy 12/20 08:17IBM的技術欸 穩了

smallreader 12/20 08:17讓挖礦更節能 XDDD

Z1000 12/20 08:19藍色巨人? SONY表示: UMC表示:

guogu 12/20 08:22充一次用一週 哈哈

guogu 12/20 08:22手機最耗電的是螢幕吧

alvistan 12/20 08:35理論交給IBM 量產交給三星

ayler88 12/20 08:38一次唬爛到位 0.1nm不是比較快?

pp520 12/20 08:55youtuber 曲博 有專門講一集

pp520 12/20 08:55結論 : 十年前就有的東西

sleep123 12/20 08:59垂直的gaafet

ltytw 12/20 09:11三星製程不錯 只是跟肌肉車一樣多

ltytw 12/20 09:11吃一點電

hsparrot 12/20 09:21量產出來再叫我(挖鼻

poi96300 12/20 09:24所以我說能量產嗎?

klo678 12/20 09:26Gg嚇到gg發抖

wei115 12/20 09:33我覺得烙賽的不只良率

dieterle 12/20 09:33會量產嗎?

QBRoboT 12/20 09:38實驗室做得出來不代表工廠能量產啊

robin80829 12/20 09:50大力出奇跡

wastetheone 12/20 09:51核融合先商轉跟垂直電晶體量產,誰

wastetheone 12/20 09:51先成功?

BIGETC 12/20 09:57ptt之神

BIGETC 12/20 09:57p

sirius65482 12/20 10:04

wres666 12/20 10:15使用一週? 聽記者在屁 螢幕不用吃

wres666 12/20 10:15電?

Clarkliu 12/20 10:21好的,讓我們繼續關注天璣9000

jim924211 12/20 10:23那,甚麼時候不會漏尿呢

cms6384 12/20 10:36PPT做得不錯

corlos 12/20 10:37漏尿製程 -.-

corlos 12/20 10:37相信GG Sieg G翁!Sieg G翁!Sieg G翁

FreedomTrail 12/20 10:53然後良率掉多少XD

km612tw 12/20 11:19笑死 漏電多少不敢講

yam276 12/20 11:20GG嚇到再買幾桶爆米花回來吃

poco0960 12/20 11:43ibm的,穩了

cancelpc 12/20 11:43所以良率多少?

cancelpc 12/20 11:44IBM穩了,合法的專利蟑螂

cancelpc 12/20 11:45一個完成設計,一個寫完PPT

cancelpc 12/20 11:45製造不出來、良率一蹋糊塗

cancelpc 12/20 11:46跟政客一樣,畫餅。完成時間都訂在

cancelpc 12/20 11:46下一任

cancelpc 12/20 11:47成功是我的,失敗是下一任的

eric2057 12/20 11:56TFET 哈哈哈哈哈

saimeitetsu 12/20 12:01IBM SOI製程那時候好像也不好吧

eric2057 12/20 12:01理論上 TFET功耗低 SS低 但是Ion也

eric2057 12/20 12:01很低啊 而且量產是一大問題

ienet788 12/20 12:14三星跟IBM的結合體,用的人八字要

ienet788 12/20 12:14夠硬阿

geesegeese 12/20 12:33沒有二代euv就沒有3奈米finfet

geesegeese 12/20 12:33三星真的很會

geesegeese 12/20 12:34一下子gaa 一下子vxx

chun0629 12/20 12:34就跟電池科技一樣 每年都一堆突破

chun0629 12/20 12:34性研發 至今走入商業的一個也沒

aasssdddd 12/20 12:43廠商會把電池做小做薄 一樣一天一沖

zzro 12/20 12:51所以說那個熱量呢

tonyhu 12/20 13:28垂直版的GAA

minus983 12/20 14:00做得出來天網就要上線開始屠殺了..

minus983 12/20 14:00.

aegis43210 12/20 14:40問題在檢測,GAA用現行的多重電子束

aegis43210 12/20 14:40就很難檢測瑕疵,垂直的一定更難,

aegis43210 12/20 14:40給封測造成麻煩

schula 12/20 15:09三星藍色巨人,你各位不要太囂張

kashima228 12/20 15:11他只是改成水平的 沒什麼特別的

rwr 12/20 15:27VTFET那麼厲害直接拿到5nm做就好啦

karl7238 12/20 15:35看看就好,同樣是4nm工藝GG的天璣90

karl7238 12/20 15:3500打爆三星的8G1,還能對三星工藝有

karl7238 12/20 15:35什麼期待呢?

TryToBe 12/20 15:42GG看到這組合 心裡os應該是覺得穩了

TryToBe 12/20 15:43放著給他自爆就夠了

Clarkliu 12/20 15:48***的4nm就7nm改的 想毀天滅地?

gameguy 12/20 16:45說個笑話,CELL (IBM的東西看看就好

gameguy 12/20 16:45 看看就好,真的實用化再說)

qazws931 12/20 16:46***把升級點數都點吹牛的 看看就好

neitia 12/20 17:37IBM點數點在實驗室做得出卻無法量產

neitia 12/20 17:37三星點在吹製程做得出量產卻沒良率

neitia 12/20 17:38兩個天作之合

Kowdan 12/20 18:00哈哈南朝鮮

Hazelburn 12/20 18:435做不好要做1 聽起來就很幹話

cancelpc 12/20 18:47語畢,哄堂大笑

anoreader 12/20 19:14這不就老東西了...不管三星或台積

anoreader 12/20 19:15能穩定良率量產出來的東西才是真

rebai 12/20 19:47只剩下話大餅的功力了

yosora4 12/20 20:36水喔,能量產再來說好嗎

kuma660224 12/21 07:55IBM每一代都最早拿實驗室成果出來吹

kuma660224 12/21 07:56因為它不用負責量產 用成果來圈錢

kuma660224 12/21 07:56永遠有凱子夥伴付錢讓他研發

kuma660224 12/21 07:57事後品質良率拉不起來 IBM不管

porkX 12/23 14:07笑死 就是gaa水平換成垂直的概念而

porkX 12/23 14:07