Re: [新聞] 台積電穩了！死敵3奈米良率慘況曝光 難

※ 引述《pp520 (異理啊議!!!)》之銘言：
: ※ 引述《empliu (冬馬黨中央政治局委員)》之銘言：
: : 原文標題：台積電穩了！死敵3奈米良率慘況曝光 難怪訂單全被砍
: : 台積電為全球晶圓代工龍頭，後面有三星、英特爾等追兵緊跟，不過近期有外媒披露三星
: : 的製程良率報告指出，三星4奈米的良率僅35%，3奈米甚至只有10%至20%，種種狀況讓大
: : 客戶高通不得不緊急抽單，轉由台積電進行代工。
: : 外媒wccftech報導，最新報告顯示，三星不只在4奈米量產過程遇到困難，在3奈米GAA技
: : 術也遇到瓶頸，先前該公司雖展現在3奈米GAA技術的突破，但良率僅落有10至20%。: ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
: : 三星4奈米製程雖然有35%良率，但是台積電4奈米製程的良率高達70%
: 這是利空吧 !! 先假設這新聞是真的
: 現在是 2022，台積電要 2025 才會開始做 GAA
: 也就是說三星 比台積電早 3 年做出 GAA 的產品，而且良率還有 10~20%
: 想想，三星還有三年時間可以仔細摸索 GAA 的特性以，及提升良率
: 三年內不斷利用 DRAM 獲利挹注奶水，研發 GAA
: 三年後，萬一 三星 GAA 真的玩出一片天
: 不要說超越 GG，只要能跟 GG 差不多就可以了
: 高通，輝達 這些廠商一定跑掉，並且 兩邊下單
: 雖然我是挺 GG 的一方，但這篇新聞，我會以利空解讀，感覺上是埋下一個未來的隱憂
幫補一篇舊聞 2022/01

https://ctee.com.tw/news/tech/576509.html
三星拚2奈米2025超車台積 業界卻爆這弱點

先進製程目前僅剩下台積電、英特爾以及三星電子競爭，三星更搶先在2022年上半年量產3奈米製程GAA技術，台積電則是延用FinFET架構、在今年下半年量產3奈米製程，但業界爆料，三星無論在良率、客戶關係與效能表現，都不如台積電，但三星提早導入GAA技術，雙方預計在2025年量產2奈米製程，屆時雙方將同時採用GAA技術下分出勝負。

從過去三星試圖在晶圓代工製程彎道超車的紀錄來看，2007年蘋果推出首款採用ARM架構設計的A系列處理器，採用三星晶圓代工製程，但在蘋果打算培養第二供應商，2010年才開始與台積電合作。

直至2014年iPhone 6世代，台積電全拿A8處理器訂單，採用雙重曝刻（Double
Patterning）量產20奈米製程。跳槽到三星的台積電前資深研發處長梁孟松，是帶領三星從28奈米製程直接跳過面臨困境的20奈米製程，直接採用14奈米製程，並採用FinFET架構，成功取得本來也該由台積電全拿A9處理器晶片，三星甚至拿到部分高通訂單，當時台積電則是採用16奈米FinFET製程，一度讓外界以為台積電製程工藝落後給三星。以台積電的說明來看，推出16奈米FinFET強效版製程（16FF+），由於良率與效能的快速攀升，16FF+製程已於2015年7月領先業界進入量產，16奈米製程也是台積電首顆FinFET架構的晶片。

然而，三星14奈米製程生產的A9處理器晶片，傳出搭載的iPhone續航力比不上台積電16奈米製程，雖然蘋果聲稱沒有影響，但還是讓消費者對其產生疑慮，最終A10晶片仍有台積電獨家拿下訂單，至此之後，三星再無打入蘋果晶片代工製造的行列。

據Digitimes報導，隨著聯電、格芯等晶圓代工廠陸續退出先進製程競爭行列，加上美國禁令壓抑中芯國際、英特爾想要重返晶圓代工業務並全力衝刺，也有很多阻礙要克服，以製程良率與產能來看，仍只有台積電、三星可以競爭，尤其以台積電的高良率、客戶合作緊密與接單表現來看，台積電5/7奈米製程市占率預估高達9成，三星就算擁有高通高階晶片、NVIDIA RTX 30系列顯卡訂單仍以8奈米製程為主，讓台積電在最新的先進製程擁有壓倒性競爭能力。

不過，三星仍靠著一站式服務替IT巨頭量身打造晶片，甚至也多次搶下特斯拉的自駕車晶片，加上在南韓政府傾力挹注資源下，台積電勢必面臨龐大壓力，最近的就在GAA技術，三星搶先在3奈米製程就導入，台積電則是等到2奈米製程才導入。

台積電總裁魏哲家在去年10月法說指出，台積電3奈米製程(N3)發展符合進度，於2021年下半年開始試產，並預計2022年下半年量產，強化版的3奈米製程(N3E)預計在N3量產1年後量產。但報導指出，台積電實際上在3奈米製程推進上面臨阻力，加上3奈米的營收貢獻要等到2023年上半年才會浮現，導致市場對台積電3奈米製程發展延遲浮現隱憂。

三星3奈米GAA技術信誓旦旦要在今年上半年量產，並說明3奈米技術良率已經逐步貼近三星4奈米，下一代的3奈米預計於2023年量產，採用MBCFET技術的2奈米製程則是還在早期開發階段，預計2025年量產。

但實際上，三星3奈米的良率與效能表現仍差距台積電3奈米一大截，甚至取得高通的產品也是以低價搶單，毛利表現根本比不上，加上國際大廠想要轉單的成本已經變得相當高昂，用得起的廠商也更追求最佳效能表現，市場傳聞NVIDIA歸來、英特爾新訂單也瞄準台積電3奈米，基本上台積電競爭優勢可以延續至3奈米製程。

去年11月ITF大會上，半導體產業大腦imec（比利時微電子研究中心）公布的藍圖顯示，2025年後電晶體架構進入埃米時代，三星在GAA量產技術的著墨所花費的時間上比台積電領先， IBM在2奈米GAA技術持續推進，按照過往雙方密切合作紀錄，預料三星將獲得助力，雙方甚至提出垂直傳輸場效應電晶體(VTFET)，突破1奈米以下製程限制。

台積電董事長劉德音也曾指出，台積電2奈米製程將轉向採用GAA架構，提供比FinFET架構更多的靜電控制，改善晶片整體功耗。台積電也在去年5月宣布，與台灣大學、美國麻省理工學院（MIT）攜手，發現二維材料結合半金屬鉍（Bi）能達到極低的電阻，接近量子極限，有助於實現半導體1奈米以下的艱鉅挑戰。

至於英特爾，則是在去年7月公布的最新製程藍圖指出除了針對為Intel 7、Intel 4、
Intel 3正名之外，也透露Intel 20A、Intel 18A 等先進製程，並採用自家研發的GAA技術RibbonFET，以及晶片背面供電的Power Via 設計，搶先公布了在埃米時代的布局，若英特爾真的能每年更新製程節點，預料2025年除了是當今先進製程2大巨頭的決戰之外，更是決定未來晶圓代工領域由誰能搶先在埃米時代稱霸的關鍵戰役。

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反正就是三星因為落後想要彎道超車,而趨於領先優勢的TSMC想要穩穩打.
而三星用低價搶來的練功單只能吸引試水溫或是在TSMC搶不到產能的客戶.

至於這幾家對於未來製程的研發則是都沒少過,未來還有來自I皇的競爭(前提是能成真).

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也未必,有些人就是想押寶看看,押錯走人而已

這點可以看到NVDA 3090漏電情況..