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[課業] 電子學body effect跟短通道效應的問題

看板Examination標題[課業] 電子學body effect跟短通道效應的問題作者
me8z7gnk
(SONG-SONG)
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Body effect: 在body施加比S極更低的電壓 空乏區往通道延伸

空乏區變大 使閥值電壓(Vt)變大


short channel effect:在D極施加高電壓 D極的空乏區變大

通道變短 使閥值電壓(Vt)變小


疑問是:兩者空乏區都會變大 通道變短

一個使Vt變高 一個使Vt變低

問一下差別在哪 希望高手解惑謝謝

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a22222a421007/30 13:58一個是基板不是接地電位 一個是通道因為電壓變大空乏

a22222a421007/30 13:59區擴增使電子通道長度變短

a22222a421007/30 14:02阿看錯了 短通道是因為通道尺寸變小所以空乏區的佔比

a22222a421007/30 14:03相較長通道大 所以會明顯影響Vt

a22222a421007/30 14:04簡單來說Body effect跟通道尺寸無關 短通道效應在通

a22222a421007/30 14:04道很小的時候才會比較明顯影響 詳細的還是去看書吧

a22222a421007/30 14:06Neamen的書寫的算白話也有中譯版了

me8z7gnk07/31 00:31謝謝a大 我會再去看書 不過body effect會使空乏區變大

me8z7gnk07/31 00:32應該也會影響通道長度才對 這點還是不懂

liushengzhe07/31 08:06大概的講法是:

liushengzhe07/31 08:06閘極不只要先能建立空乏區,而且要能控制與它下方整

liushengzhe07/31 08:06個空乏區電荷量相等的電荷,通道然後才能夠建立,因

liushengzhe07/31 08:06此BE越嚴重,Vt值就越大。

liushengzhe07/31 08:06當汲極電壓夠大,汲極控制的空乏區就會深入閘極下方

liushengzhe07/31 08:06跟閘極爭搶MOS的控制。此時元件長度若太短,閘極電

liushengzhe07/31 08:06壓將無法完全控制MOS的關閉,而汲極空乏區夠大,甚

liushengzhe07/31 08:06至延伸至源極空乏區,還導致DIBL,此時無需閘極,橫

liushengzhe07/31 08:06向電場就足以讓汲極直接從源極吸引載子造成漏電流,

liushengzhe07/31 08:06這就相當於是Vt值下降。

me8z7gnk07/31 23:54謝謝L大 講法很合理