Re: [新聞] 震撼! 特斯拉減用碳化矽
※ 引述《fastenjoe (肥勝)》之銘言:
: 內行人看門道,外行人看熱鬧,果然跟我們想的一樣,使用SiC MOSFET並聯IGBT的hybrid
: https://technews.tw/2023/03/03/trench-sic-misfet-may-play-the-key-role-in-the-
: -----
: Sent from JPTT on my iPhone
這看起來像是ROHM的solution
Body diode改成SiC SBD的IGBT
看起來特性跟全SiC的MOSFET會天差地遠,但應付650V需求是比CoolMOS好一些
按照使用方式,這是OBC用的,應該不是充電樁用的吧?
https://i.imgur.com/i2eERwo.jpg
https://i.imgur.com/8MloOad.jpg
不過齁,100 kHz下效率有97%,這好像判GaN 650V用在OBC死刑了。如此效率與價格,GaN完全沒優勢啊…
--
講太專業,直接講對哪一家廠商有優勢
我是不知道台廠有誰在做SiC SBD, 但做IGBT的不少,
應該都有機會。不過這市場目前還很小,說因為Tesla
的一個轉換會讓某些公司瞬間大賺我是覺得不至於,
但要小心某些廠商一直都在佈局SiC的,未來可能不是
那麼看好
那wolfspeed 不就gg 了?
我覺得不至於,inverter還是得用SiC MOSFET。Tesla
說的這個應該只限於OBC, 廠商會少吃到一塊沒錯,但
不至於崩盤。要投機的話,趕快查誰有做SiC SBD, 不
過我猜那個利潤很低。是我我會查Tesla的這個solutio
n封裝找誰做的,因為SiC SBD跟IGBT並聯,勢必要解決
散熱沒有全SiC好的問題,看起來Tesla是有解決這個
問題才敢回去用
自回,新聞寫的是要拿來用在inverter上,這還真是
黑科技了。這封裝廠或封裝IP一定發大財
封裝有限制就從外部散熱模組下手啊 power mos都馬要
反正有個結論是肯定的 SiC的用量成長將低於預期
受害最深的 肯定是二三線的台廠和中國廠
靠外部散熱
特別是台灣那幾家小的 夢直接沒了
台灣的本來就是炒個話題而已 哪有差
現在sic比重那麼低 對廠商哪有差 ~
就我所知台灣要做SiC因為沒磊晶技術,所以利潤硬是
比國外低很多。那個磊晶太難了,不是買一樣的爐子就
能做到,要改機。台灣要追上恐怕短時間內難
回Jess大,我也是這樣覺得,在台灣這個領域市場才
剛開始,很小。
危機就是股價的轉機
IGBT頻率上不去, GaN + SiC摻在一起做撒尿牛丸才是
正解
第一行不就寫ROHM了 不然去報虎門的那些課直接看
沒啊。Tesla沒說他是怎麼做的,我是看到新聞內容提
到hybrid, 想到ROHM的solution才又去翻ROHM的網頁
來看。也很有可能Tesla的黑科技比這更厲害也說不定
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