[情報] GN影片中提及的可能的氧化機制
先打個預防針
我是化學背景但不是半導體製程背景
(雖然我在的實驗室也滿像台積電在做的東西)
所以製程的詳細知識我也不是很懂
我在實驗上會用到的鍍層方法是電化學鍍層與物理氣相沉積(熱蒸鍍)
跟化學氣相沉積不太熟
有關於半導體的英文術語也可能翻錯
歡迎有更專業背景的板友幫忙在推文補充或打臉我缺漏/講錯的地方
-
推 smallreader: 氧化應該就是電子遷移的另一個說法吧 111.254.173.212 07/21 00:16
不是,氧化與電遷移是兩回事
電遷移是電子的動量傳遞給金屬原子核(金屬離子)
導致原子核離開原本在晶格中的位置 形成缺陷
簡單說就是原子核被電子撞開錯位
想像你用一大堆綠豆砸一顆籃球
籃球會被綠豆撞離原位
儘管過程很緩慢 不容易觀察
這個過程是動量的轉移
不需牽涉氧化還原
-以下是氧化機制的翻譯-
影片13:37處開始
GN聘請的FA lab(故障分析實驗室,下文簡稱FA)
對於故障原因是氧化這一假說的敘述
首先是FA對於TaN鍍層的說明 作為背景知識
https://i.imgur.com/ljUV31R.png
TaN作為阻障層防止銅擴散到介電質層(玻璃)
在製程中以原子層沉積(ALD)的方式塗佈於(晶片的)拓樸結構
先於via孔的外壁鍍上TaNx與銅種子層之後
再沉積銅 使via孔填滿金屬銅
(中間這段是FA有附上一些文獻說明
大致是在敘述ALD這項技術的限制
最近實驗很忙我有空再翻qq)
TaNx在金屬層的各處都會用上
因此所有的層都可能被影響
這也證實了這並非中介層的問題
https://i.imgur.com/miORnRf.png
如要防止被鍍材料層(銅)的氧化
反應前驅物與反應條件的選擇是至關重要的
以下是ALD前驅物可能導致銅氧化的原因:
https://i.imgur.com/xX9jOXh.png
某些前驅物可能含有氧
或會在反應過程中釋出含氧的副產物
如果這些副產物接觸到銅 可以使銅表面氧化
https://i.imgur.com/cjbDv0d.png
如果水是ALD其中一種反應物
由於其具有氧化能力(應該是能促進/催化氧化過程)
可以導致氧化銅的生成
水經常被用於ALD製程來生成金屬氧化物
需謹慎控制水存量以防止銅氧化
https://i.imgur.com/WR7um68.png
ALD製程中使用的高溫與電漿條件可促使氧擴散進銅金屬層導致銅氧化
電漿提供的能量可以更完整地分解反應前驅物
進而可能使更多含有活性氧的物質被釋放出來
https://i.imgur.com/UX6XxRI.png
在ALD過程中,在分次加入前驅物的步驟之間
反應腔體會被清潔以去除多餘的反應物與副產物
不完整的清潔可使含氧的殘留物與後續步驟中生成的銅表面反應
最後FA附上了一個晶片的剖面圖for科普用途
應該是wiki或哪裡找來的 結構並不僅限於intel做的IC
以上大概四醬
-
以上假說要待FA分析完才有定論
FA事先有向GN預警 要分析這麼複雜的結構問題
實驗室評估其分析成功率只有大約50%
一般來說他們都是分析多個樣品
GN說會送盡可能多的樣品給FA
也說仍在等FA報價
分析每顆CPU的花費可能會到五位數鎂
如果真的這麼貴 GN只能給一兩顆CPU 總之會盡力送樣
很可能在分析結果出來之前 intel就給官方說明/解法
但也沒關係 這分析依然能提供很多資訊
也能用來檢驗intel丟出來的東西
--
※ 編輯: E7lijah (27.52.66.205 臺灣), 07/22/2024 01:17:57
推熱心翻譯
intel 氧化不保
看來我拋磚引玉成功(?
好多大師出來講解xD 製程我真是一知半
解
懷疑intel知道真正原因但不能承認
感謝解釋 完全跟我想的一樣(並沒有
嗯嗯 我也是這樣想的
GN真的很敢花錢,自費送實驗室做檢驗這種
吃力不討好還不猶豫
這個解釋是銅氧化在鍍層的當下就已發生,
但現在情況是使用一段時間後才爆發?
解釋是用阻隔層有缺陷
所以製程中或者成品使用都有可能氧化
即便切了找到病灶,也只能推測發生原因
,真的是吃力不討好
SI廠商收到新CPU有12%是過不了QA的,Wend
ell那邊說廠商統計平均壽命約16個月,如
果真的是這個推論,這樣代表製造當下和使
用一段時間兩者都有發生?
推翻譯 可是看到這堆畫學名詞我頭好痛
還好啦 就是在猜那個氧是哪個階段 從哪
裡進來的
簡單來說 本來不該讓氧跑進去的地方 製作的
過程中卻讓氧跑進去 不管是因為員工缺失
或一開始製程設計就有問題 總之結果就是跑
進去了? 這樣理解應該沒錯吧?
然後GN有說氧化不一定就是主因
也可能不只有氧化這個原因
不同原因可能各有貢獻、交互影響
員工缺失要缺失一年多的批次也是滿厲害
的...
Intel自己應該不能說知道原因,而是大概猜
得出來是怎麼回事
但我不覺得他們會花大錢去做完整的內部分析
拿到完整的故障機制這種證據確鑿的報告
既沒有意義而且這種報告在之後的集體訴訟只
有弊無利
歷史上太多弊案都是廠商早就有內部文件知道
有問題,這種內部文件在法庭上寫的越詳細對
陪審團的負面效果越嚴重
這能跟Intel請款吧,幫他們除錯
我不覺得Intel會在大概知道什麼問題又知道
這是什麼等級的問題的時候會去主動產生這類
內部文件
整篇都看不懂QQ
他說的遷移是mobility 那個嗎
電遷移是Electromigration, 主要發生在金屬
層
電遷移也不只是氧化物才會有,2種導電物
之間同樣會因為遷移速率差異導致交界面
出現缺陷,進而產生空孔和裂痕造成斷裂
,而這個也是會依靠氮化物之類的阻障層
來避免
內部都會有這種文件的 部門間也要卸
責 不要把大公司看成鐵板一塊
I皇這種IDM模式反而像日本大名制
各大大小小諸侯蟠踞一方 互相攻伐
公司的利益與部門利益背離時很多戲的
波音為何要殺吹哨人? 細思極恐
長知識了, 推一下
I出的包,檢驗費應該要跟I請款
intel會不會:我他x的怎麼知道問題出在哪
不必去查。
ALD的化學品要做到無氧,從材料製程都不能
有問題,而且氧不一定是氧氣,有時是鍵結
氧
像MOx,H2O都是
感謝分享
Foundry都有自己的FA實驗室啦 出問題早就會
開始狂切Sample了
推
推熱心
五位數還美金,這影片成本大賠吧
尚未確認異常正因和位置,但已經推測
並列舉可能發生氧化的原因,沒有一間
工廠會同意這種異常分析步驟。
加油 現在連UAC都跳船 你要獨撐大梁了
我們公司的客訴,一直到賠錢都不會往自己
不利的方向分析,錢賠了郤沒找到真因,然
後重覆的錯誤一直犯。
出了新的UAC大師喔
上面那個TISH
要花幾萬鎂去幫intel找問題 笑死人
Intel自己找不出問題?事情太大吞不了?
這個不可能不找問題啦,只是會不會公開
而已
沒上法院前知道也不會說出來吧
Intel直接講出來肯定會被告到脫褲吧
不先自己找出原因怎麼做法律攻防呢
都是化學系我怎麼就不懂這些
你會有機合成跟鑑定 我不會... 我只會被老闆跟學長電到起飛
謝謝E大!辛苦了!(敬禮)
推個。所以原文列出了四個可能造成銅氧化
推解釋
微軟系統大當機救了intel ??
當機那個 是防毒軟體的鍋
新聞下爛標 一直誤傳
intel去找就會留下證據,萬一找到真正原
因就麻煩了。要裝作有認真找但找不到的樣
子,心裡知道就好。
對內一定會查啦..大企業內部可說是大
型宮鬥劇,不查就變成政敵攻擊的理由
了
不查上法院問題才大好嗎 怎麼可能不查
只是這些資料會不會流出,以及會讓多
少人知道就又是另一回事
這一定會查 各部門可是要幫自己解套
的
推,真的長見識,原來電遷移是這個意
思,電子是原因,真的歪掉的是原子核
嗯嗯 跟我想的一樣
XPS尻下去就知道了。但是做縱深燒錢
挖進去,算小時收錢,一小時挖不深
笑死 我最近剛好都在新竹同步輻射做XPS/UPS 腦中第一個想法也是光打下去看能譜就知道氧化態了 其他隨便亂想到的方法可能是測磁性?
還是等GN切完好了XD 想知道GN切完結果
是什麼XD
直接推斷是氧化真的是在帶風向啊 不然
呢? 連異常都不知道位置是要怎麼切?
哥 可是氧化這個說法不是GN提出的 是有個intel大客戶向GN抱怨時說的欸... GN為了公平地驗證這位客戶的假說是否正確還自掏腰包找實驗室分析 這樣你的意思是帶風向的人是那位有800萬顆intel CPU的大客戶嗎
以為已經找到異常了 原來還在報價而已
好了啦
不要這麼難過,又不是世界末日
我家INTEL乖寶寶沒有錯 嗚嗚
所以你可以幫忙找出異常的原因嗎?
「千錯萬錯都不是我大I皇的錯啦 」
看到電子把動量傳給金屬的原子核就可以
跳出來了
可是我看幾篇文獻都這樣寫欸 還是閣下有什麼見解 願聞其詳
https://i.imgur.com/jQpHakK.png※ 編輯: E7lijah (27.52.66.205 臺灣), 07/22/2024 22:30:18
※ 編輯: E7lijah (27.52.66.205 臺灣), 07/22/2024 22:37:08
※ 編輯: E7lijah (27.52.66.205 臺灣), 07/22/2024 22:38:14
帶風向的起手式就是 張三李四說:....
要證據就在東扯喜扯 阿也不一定啦~
他現在就在說他怎麼找證據。不過也是,再扯
也改變不了intel這兩代cpu搞爆還給不出個交
代的事實就是了。
GN影片中敘述都這麼公開明白了
裡面清楚提到誰說了什麼
以及GN自己會採取什麼行動或如何收集證
據
你可以自己去看
大家都不覺得是帶風向只有你覺得
但我改變不了你看待事情的方式
所以你愛怎麼想就怎麼想吧
那你怎麼不提出反面證據?
你不認同GN說他帶風向,「啊這一切都是
GN在帶風向啦,要找證據東拉西扯,張三
李四說什麼就是什麼,都在捕風捉影」,
所以你找到了什麼可以反駁GN說法的證據
?那你的推文就沒有在帶風向嗎?
設定目標 排除變因叫做帶風向?
原PO是真的有料的人,有些推文出來只能說
哇操到底寫啥看沒有
用同輻挖的話超快的,一不小心就挖穿
可是同輻不開放商用r,我也想拿來挖
同輻光是學術用都要排程搶時段了 如果開
放商用那我們這些菸酒生一大半都要岩壁了
唸過固態物理或半導體元件的人都知道,e
lectromigratuon是電場強度造成的
電子把原子核撞離晶格?!哈哈哈
念過高中物理的人都應該知道質子中子的
質量是電子的1800多倍,隨便一個金屬離
子都是電子質量的幾萬倍,你講的好像胖
子坐在座位上會比蒼蠅撞出教室一樣簡單
你貼的那篇論文也是發表在化學類期刊,
會有這種謬論不怎麼意外
電子的動量,或者說精確一點,論文裡面
寫載子有可能是電洞,不是不能傳遞給原
子核或者說離子,但是動量傳遞以後會變
成晶格振動,也就是聲子
那個離子離開原本的位置是在振動,論文
裡面說可以傳輸質量是在鬼扯
這篇要是被我審到還不噴到爆
豁然開朗
然後這種東西哪需要用到同步輻射,貴儀
的FIB是你的好朋友
如果錢不是問題的話隨便找閎康宜特汎詮
人家小姐都比我們厲害幾百倍
懷念宜特的姊姊們
化學系被臭了,幫QQ
我剛剛才發現原po貼的第二篇IEEE論文一
開始就說了electromigration是施加偏壓
造成的,原po完全畫錯重點了
感謝你的回覆
那我想再請問一下那重點是電場強度還是電
流密度呢 (還是其他因素?)
因為電壓與電流是因跟果 兩者不是互斥的
我看IEEE的那篇敘述像是電場是起因;電流
密度是重點
然後IEEE那篇也有提到mass transport也是
單純晶格振動嗎
而且他說mass transport是沿著電子運動
方向,如果是電遷移的因素是金屬陽離子受
電場的力,那怎麼會是沿著電子運動方向,
不是應該相反嗎(沿著電場方向)?
g大那篇說兩個相反的力抵抗,結果是
電子對原子核的推移力量(?)佔上風
更正,電子對原子,不是核
(1)電場對離子的力、(2)電子與離子近
距離互動、傳遞動量這個現象,因提高
電子流率而增加的力
10^6A/cm^2 相當於每個單位晶格每秒
有10億個電子通過 如果我沒算錯的話?
大概有1萬倍(?)銅原子質量的電子通過
痾不過算好玩的,沒學過命中機率多少
剛剛稍微拜讀了glad大分享的那篇文獻 裡
面有一些對於電子在晶格內散射後將動量
變化傳遞給離子的敘述 只可惜我不像glad
大看得這麼懂 能有幸再請大大指教一下嗎
我洗耳恭聽
還是Science跟IF點數40點的材料科學期刊
給glad大審都不會過
沒認真讀文章 差點被牽著鼻子走 XD
反正我看不太懂論文 他比較懂 請他解釋囉
原PO就別再push某人了,某人應該是不會再
出來了啦。#1cde2vBv AZ大也已經舉例了,
氧化跟電遷移是不同的issue,氧化造成高阻
而電遷移導致短路
拿大家比較能了解高中化學的例子來說,某
位大師就好比是以為有了共價鍵,所以
偶極-偶極力 的影響就可以被否定掉了。至
於某人審不到那篇論文,因為他根本就打不
進那個期刊的圈圈裏面
爆
[情報] GN 耶穌開始調查Intel不良的原因 新資料GN 收到一些內線,內線說intel這次的問題是因為製程 的抗氧化(anti-oxidation) 塗層有問題,造成長期或高 壓使用下會氧化產生的不良。如果這是真的,這無法靠 主板設定解決。受影響的CPU達百萬顆。82
Re: [心得] GN 13、14代問題影片重點整理做 : 檢驗(Failure Analysis)的結果出來之後才知道可能的原因 : 以下為前述大客戶內線流出關於此故障事件的敘述: : -這次事件的根源,是作為抗氧化的隔離塗層氮化鉭(TaN)在原 : 子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)的過程中出錯了,68
Re: [情報] GN 耶穌開始調查Intel不良的原因 新資料半導體製程老實說已經脫離個人專業範圍,僅止於大學修課的程度而已 以下資訊大家圖個樂看一下就好了 個人手上不論是超頻用平台、工作站,大概有十組左右 目前都是沒辦法穩定復刻出不穩的問題,所以製程是Root cause還蠻合理的 前陣子轉發到板上的Microcode也是問題之一,不過更新BIOS就能解決55
[閒聊] GN耶穌開始調查Intel不良的原因新資料GN 收到一些內線,內線說intel這次的問題是因為製程 的抗氧化(anti-oxidation) 塗層有問題,造成長期或高 壓使用下會氧化產生的不良。如果這是真的,這無法靠 主板設定解決。受影響的CPU達百萬顆。50
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