Re: [情報] Intel Roadmap to 2025

※ 引述《minazukimaya (水無月真夜)》之銘言：
: 1. 標題：
: Intel Accelerated
: 2. 來源：
: Intel官網
: 3. 網址：
: https://www.intel.com/content/www/us/en/events/accelerated.html
: 4. 內文：
: Intel釋出至2025的製程及先進封裝路線圖
: 以下幾點個人分析
: 1. Intel的戰略目標是要搶佔三星的生態位
: 這段期間大部份的分析師都是著重在討論tsmc和Intel之間的代工議題
: 但公開表態往往是為了隱藏一些真實的意圖
: 從Intel近期的各種操作來看，表面上是要追趕tsmc重新取得技術領導權
: 實際上目標應該是要擠佔三星foundry的地位
: 像是重新命名node和Pat投書POLITICO這種「純粹的公關表演」
: 其背後的意圖都是在打擊三星的代工生意
: 2. 新的命名掩蓋了技術規格的變更
: Intel現在不談密度，改談Perf/Watt了
: 其實是也算合理，畢竟密度不是一個很好的量尺
: 7->4 20% 4->3 18%
: 從這兩個數字看起來，相比原本的7nm/7nm+ (對應到新的4/3)
: 調降了4的技術規格，以便能在2022年順利推出
: 相對來說3在不作整體scaling的情況下要達到18%的Perf/Watt改進
: 能不能在2023推出有點微妙
: 但總體來說是比原本那個規格現實一點，至少是有機會達成的RoadMap
: 當然Intel也學壞了，在node命名上有稍微偷吃步的嫌疑
: 新的4大概和tsmc的N5P差不多，新的3大概會比N3差一點
: 但公允來說，差距並不大
: 比起三星的4LPE(改名後的5LPA) 實際上還不如N5好多了..
: 總而言之，Intel 重新命名後對於同一個數字的node
: Perf/Watt大致上會是tsmc > Intel > Samsung
: 當然再次強調差距並不大
: 3. 20A的時程是2024年 (!?)
: 老實說這是超級激進的時程
: 而且用詞上有種拿risk production來宣傳的嫌疑
: 當然Intel公關部門有績效壓力
: 但這該不會是三星那種「預設就是要delay」的Roadmap吧...
: 沒有公佈Perf/Watt的改進
: 不過不太可能達到IBM 2nm的那個規格
: 我猜最後大概也是略差tsmc的2nm一點
: RoadMap符合Intel說的「要在2024年追上」
: 目前的投影片上看起來是有追上
: 我個人是覺得20A和18A的進度太樂觀了，即使有IBM和ASML幫忙
: 4. 先進封裝的進度讓人失望
: 因為Pat剛上任的演說對於先進封裝的進度十分滿意
: 我一度以為Intel有藏招
: 不過目前看起來2023年Foveros Direct的規格
: 還不如AMD今年就要用的TSMC-SoIC (AMD用在VCache上)
: 從AMD的路線圖來看，把L3疊在運算核心上是個方向
: SRAM die分開製造有很好的成本效益
: 例如說邏輯運算用2nm GAA製程、SRAM用3nm的高密度製程
: Intel受限於封裝技術的進度，可能會晚一代才導入這樣的設計
: (而且..我感覺Intel那個PowerVia最後會在封裝上搞到自己)
: Fab-lite的經營模式下設計部門要配合製造部門的腳步
: 無法放開手腳去設計，會是個長期隱憂
: 所以AMD最後還是痛定思痛把GF放生了XD
: 5. Intel到底是下什麼東西到tsmc的N3？
: 如果真的是MTL/GNR要下到N3，同時也會用I4作
: 可能是高階用N3，低階先I4，等2023年I3量產再把高階拉回家作...?
: 這種產品策略在公關上會是重傷，高階先外包不知道要怎麼圓回來
: 當然也有可能是某種還沒公佈的HPC產品(GPU/DPU或MobileEye)下在N3
: 最後一種可能，就是Intel下N3是芭樂傳言
: 不過有好幾個消息來源都提到這件事，感覺不是假的
: 6. 題外話，關於政治風向
: 美國政府的立場和Intel的立場顯然有差異
: 不然也不需要法案過了之後再用投書來作公關表態
: 投書只是放話，真正實質的利益都是要lobbyist喬的
: 這也蠻合理的，美國政府要考慮的棋局比Intel的複雜多了
: 不可能只顧及Intel的商業利益
: 從產業現實面來看，電子消費品的產業鏈不是只有半導體一個關鍵環節
: 有很多東西根本不可能在美國作的
: 最終就像Morris說的，可能會浪費了許多時間金錢人力之後
: 還是達不到一個自給自足的結果
: 電子科技業是以「矽谷作為大腦、日韓台作為心臟」這樣的形式存在的
: 當心臟曝露在危險中，合理的選擇是穿件防彈衣，不是動心臟移殖手術
: 我感覺美國政府終究還是會認清現實
: 另外李在鎔的特赦案，以及韓國明年大選的結果
: 可能都會牽動整個半導體產業的競合賽局..

Intel 10nm
現有產品

Intel 7
強化10nm 基本上就是墊檔

Intel 4
更小的FinFET 引入EUV
相當於TSMC的5nm
以時程上來講 基本上是追不上TSMC
但對Intel來說很重要
如果能照時程發表 代表還看得到車尾燈

Intel 3 EUV+
墊檔用

Intel 20A power via 和 GAA

Intel全部賭注都在這個node
因為TSMC 要到N2才會引入
完全換架構 大家都重新站在起跑點上

傳統上power supply基本上要經過15-20層的金屬導線 才能傳到元件本身
在微縮成30nm一下
via/contact resistance通常都很驚人的高
大部分損耗其實都在這些線上
有效電壓傳到底層元件 通常都不足0.8V
gate沒辦法很好控制通道 所以短通道效應會很嚴重

所以解法就是兩種
1. 更好gate control的元件
Planar MOSFET -> FinFET -> GAA

2. 減少寄生電容電阻
把power line移到背面
所以可以同時用兩面把電力傳進去
減少電阻 同時還可以用更寬的線寬
未知數就是散熱

總結來說 intel 說3-5年才能追上基本上就是反映新的road map
放推FinFET只要跟上就好
賭20A重返榮耀
新的roadmap就是學其他公司
以intel以前到個性 絕對是不會擺出那些墊檔node
現在他們學乖了 至少有些比較簡單的node 讓大家覺得公司有在進步

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