Re: [新聞] 里程碑!IBM宣佈造出全球首顆2nm EUV芯片
去看了下應該是原出處的地方,看完這段真的會氣到跳腳的是intel吧
With regards the movement to Gate-All-Around / nanosheet transistors, while
not explicitly stated by IBM, images show that this new 2nm processor is
using a three-stack GAA design. Samsung is introducing GAA at 3nm, while TSMCis waiting until 2nm. Intel by contrast, we believe, will introduce some formof GAA on its 5nm process.
不精確翻譯:
關於GAA-nanosheet電晶體,儘管IBM沒有明確地發表聲明,圖片顯示這新的2奈米處理器使?三星正在將GAA引入3奈米製程,同時台積電在2奈米才要使用該技術
相比之下,我們相信英特爾應該能在5奈米上引進一些GAA的東西
可憐哪,之前消息放那麼大結果直接被人家分到另一邊去
然後關於新聞內提及的消息,我覺得真正恐怖的是功耗上的減少,應該是真的有克服甚麼東西才能在SCEs的夾殺下壓低功耗
話說這篇是做nanosheet,查了一下台積的2奈米好像也是往這發展,所以大公司是已經不打
至於他文內還有提到一種新的底層介電通道技術,不知道這是不是完全和double gate時的?
不知道這篇能不能釣到高手來發表意見
※ 引述《madeinheaven ()》之銘言:
: 原文標題:
: 里程碑!IBM宣佈造出全球首顆2nm EUV芯片
: (請勿刪減原文標題)
: 原文連結:
: https://news.mydrivers.com/1/755/755094.htm
: (請善用縮網址工具)
: 發布時間:
: 2021-05-06 18:42:25
: (請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
: 原文內容:
: 藍色巨人出手就是王炸。
: 5月6日消息,IBM宣佈造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。
: 核心指標方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬顆晶體管: )為333.33,幾乎是台積電5nm的兩倍,也比外界預估台積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要: 高。
: https://i.imgur.com/gs5Su5y.jpg
: 換言之,在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內,就能容納500億顆晶體管。
: 同時,IBM表示,在同樣的電力消耗下,其性能比當前7nm高出45%,輸出同樣性能則減少: 75%的功耗。
: https://i.imgur.com/Kns1Lhd.png
: 實際上,IBM此前也是率先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)芯片的廠商,在電壓等指: 標的定義上很早就拿下主導權。
: 回到此次的2nm上,採用的是GAA(環繞柵極晶體管)技術,三層。IBM介紹,這是第一次: 使用底介電隔離通道,它可以實現12 nm的柵長,其內部間隔是第二代干法設計,有助於: 納米片的開發。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。
: 需要注意的是,IBM並沒有自己的晶圓廠,2014年其製造工廠賣給了格芯,但兩者簽署了: 10年合作協議,另外,IBM也和三星、Intel保持合作。
: 關於GAA晶體管技術,三星3nm、Intel 5nm以及台積電2nm均將首次採用。
: https://i.imgur.com/jpbeoSg.png
: 心得/評論: ※必需填寫滿20字
: https://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=15592
: 根據上面這篇三星的3nm GAA技術是跟IBM合作
: 所以這篇的2nm GAA應該也是跟三星合作
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https://i.imgur.com/h4Q0F04.jpg
9月23日 發生大事了
因為就在這天,加藤惠誕生了
https://i.imgur.com/H3RhXfJ.jpg
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樓下ccw
你英文是不是普普....那段沒有酸intel
是沒有酸啊 可是直接被分兩邊真的滿慘的 另外我英文真的普 論文看得很吃力QQ
※ 編輯: fragmentwing (42.75.190.247 臺灣), 05/06/2021 22:13:09可以量產跟良率多少才有用= =
沒有晶圓廠是要給誰生產
台積電表示:587
Nanowire 圓圓的, 你SiGe要吃出OD和Poly後邊疊新的
膜然後然後patterning 吃好吃均勻 光想就覺得Etchi
ng和CMP挑戰很大
不如做出一片片長方形在那邊再繼續加工 個人意見
其實我是有看過2016年已經有實驗室做出看起來很粗糙
的奈米線了 但以製程來講 要做出超級均勻平坦的奈米
片應該比蝕刻通道後把線材填進去要難
奈米線好像沒有一定要圓的 如果要做出穩定的圓柱確
實超難 但實質上好像沒這麼規定
IBM的實驗室應該是跟GF合作在Albany的fab吧
如果IBM真的那麼行,史丹佛柏克萊早就被SUNY屌打了
ASML就在隔壁棟,實驗做得出來產品做不出來很正常
別忘了,IBM一直想把半導體這拖油瓶給甩掉
現在可能是放風聲想抬價看哪個傻屌會想買
中國不能買,台灣南韓不需要,倒是可以騙騙歐洲人
等看看曲博怎麼說吧~
IBM想甩掉半導體?
實驗室跟量產差很多, 光是均勻度跟 defect就有得搞
, 沒搞好, 良率就不用想了
IBM廠都賣掉惹,怎摸量產
2014年10月20日,IBM正式宣布邀請格羅方德收購其晶
片製造業務。
2018年8月28日,宣布將無限期暫停7奈米製程研發,將
人力物力轉至14與12奈米製程研發上。
IBM賣專利啦 他幹嘛去量產 還要負擔這麼大成本
GF格羅方德的好,AMD最清楚QQ
IBM一堆研究都是專利 能不能量產是別人的事
所以不是甩掉半導體而是往純實驗室方向轉吧
翻譯錯了 文章說的是GG要等到2nm才開始用GAA
要不是GF宣布暫停研發7nm,AMD到現在還死在那邊
對齁 因為前半段 所以要這樣翻才對
連帶影響IBM轉投台GG 7nm
可憐什麼?文章只是說intel會提前在5nm就導入GAA了
從design的角度來講,我覺得nanosheet可能比較好用
nanowire得受限fin pitch, 同樣面積下,sheet電流應
該大於nanowire電流
聯電就是跟IBM合作,才被GG追過去喇
IBM現在根本沒有自己的實驗室,是寄生在美國政府的
國家實驗室,專利是IBM的還是美國政府的還不一定呢
很多分析師都認為IBM是下一個GE
看到ibm我就想到聯電 聯電落後台積的三大關鍵點 其
中一個就是跟ibm技轉然後烙賽 之後就被台積一路壓
著打
當年IBM的騙局就是號稱全部晶圓代工廠打台積電一個
最好笑的是圍毆到最後反而被打死,然後IBM就閃人了
Intel好歹只騙了一次WiMAX,IBM是一騙再騙
IBM根本雷包..勿忘玻璃硬碟
看不懂的東西最好不要投資
台積電完了...
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[情報] 英特爾預計 2023 年推出 5 奈米 GAA 製程英特爾預計 2023 年推出 5 奈米 GAA 製程,力拼台積電 3 奈米製程 大家應該還記憶猶新的是,之前處理器龍頭英特爾 (intel) 的財務長 George Davis 在 公開場合表示,除了現在 10 奈米產能正在加速之外,英特爾還將恢復製程技術領先的關 鍵部分寄望在未來更先進製程的發展上,包括英特爾將在 2021 年推出 7 奈米製程技術22
Re: [新聞] 美日合作2奈米與小晶片技術,對台積電是IBM :2015 公佈7nm使用SiGe channel. tsmc 2017量產7nm,隔年7nm+ 使用EUV GF使用IBM技術,但2018 放棄7nm開發. 三星量產7nm 號稱使用EUV,結果良率比台積還差 接著 IBM : 2017 公佈5nm, tsmc 2020量產5nm 使用大量EUV及high-mobility channel 同年,三星號稱量產5nm, 實際被驗證假7nm, 且性能不如台積6nm. 公佈2021量產3nm GAA6
Re: [新聞] 台積電穩了!死敵3奈米良率慘況曝光 難幫補一篇舊聞 2022/01 三星拚2奈米2025超車台積 業界卻爆這弱點 先進製程目前僅剩下台積電、英特爾以及三星電子競爭,三星更搶先在2022年上半年量產 3奈米製程GAA技術,台積電則是延用FinFET架構、在今年下半年量產3奈米製程,但業界