Re: [新聞] 三星 HBM3E 沒過輝達驗證,原因與台積電
製程使用的材料或方法不應該也是機密的一種嗎?這種機密怎這麼容易流出來...
突然想到之前Samsung HBM3E與蘇媽的MI350合作的消息
https://reurl.cc/lQQeQ6
再來看看這新聞 很明顯三星在HBM3E都是落後給Micron與Sk Hynix的一方 雖然Samsung是很早開始開發..
還記得幾個月前跟朋友聊到三星貌似自己HBM內部驗證都沒有過, 很好奇為甚麼就拿去給輝達驗證了?
※ 引述《enouch777 (雷)》之銘言
: 原文標題:三星 HBM3E 沒過輝達驗證,原因與台積電有關
: ※請勿刪減原文標題
: 原文連結:
: https://bit.ly/4am4Kaq
: ※網址超過一行過長請用縮網址工具
: 發布時間:May 15, 2024 by Atkinson
: ※請以原文網頁/報紙之發布時間為準
: 記者署名:Atkinson
: ※原文無記載者得留空
: 原文內容:
: 記憶體大廠美光、SK 海力士和三星 2023 年 7 月底、8 月中旬、10 月初向輝達送樣八層
: 垂直堆疊 24GB HBM3E,美光和 SK 海力士 HBM3E 2023 年初通過輝達驗證,並獲訂單,三
: 星 HBM3E 卻未通過驗證
: 外媒報導,三星至今未通過輝達驗證,是卡在台積電。身為輝達資料中心 GPU 製造和封裝
: 廠,台積電也是輝達驗證重要參與者,傳聞採合作夥伴 SK 海力士 HBM3E 驗證標準,而三
: 星製程與 SK 海力士有差異,SK 海力士採 MR-RUF,三星則是 TC-NCF,對參數多少有影響
: 。
: 三星 2024 年第一季財報表示,八層垂直堆疊 HBM3E 4 月量產,第二季會量產 12 層垂直
: 堆疊,比原計畫下半年提前。三星說是為了應付生成式 AI 應用日漸成長的需求,故加速新
: HBM 生產進度。
: 市場傳聞三星八層垂直堆疊 HBM3E 沒有通過輝達與台積電驗證,是因有缺陷,三星說傳聞
: 不正確,重申提供最佳產品的承諾。市場人士表示,如果檢測標準調整,三星 HBM3E 就能
: 通過驗證。
: 心得/評論:
: 台積卡三星??
: 想當年三星當汙點證人,明明就是共犯,跑去美國告洋狀。絆住奇美、友達還害,有人去美
: 國被關。
: 台灣人才不屑做這種事情吧!
: 明明就是自己記憶體驗證不過,技術不行,拉台積電當藉口吧?
: ※必需填寫滿30正體中文字,無意義者板規處分
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刷存在感
急了
三爽的記憶體部分也傳染代工部門的病毒嗎?
就美打韓而已
台積幹嘛讓三星賺HBM去養代工回頭打自己?
只剩喊話啊 每年都要喊自己2nm先驅 沒單就是做垃圾
好奇,台積不考慮或無法代工記憶體嗎?
做邏輯跟做記憶體的工序差那麼多
乖乖拿宣傳的錢 去提升員工質量吧
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[情報] 三星推出HBM3E 12H DRAM其實在2月底三星就已經發布新聞稿了 根據三星的描述,與先前自家發表的HMB3 8H相比,從8層堆疊到12層。但HBM3E 12H是採用 熱壓非導電薄膜(TC NCF)封裝讓8層與12層的高度相同,晶片之間的間隙來到7μm。由於 間隙縮小的關係密度也提高30%- HBM就是金礦 尤其現在部分研究有走向拉長Input Sequence和Embedding Vector Length 我好幾次train模型 記憶體都不夠用 還得搞gradient accumulation這種手法 在Multimodal開啟後 資料數據都是幾10T的Train 記憶體很容易被操爆 且部分研究顯示 多模態數據拉到60T以上後 胡言亂語症狀都會減低 然後HBM3e領先就是海力士 海力士不可能只有20% HBM現在就三大玩家 而韓廠就吃掉90%
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