Re: [新聞] 中芯5奈米沒了?台積電大老神分析:打
※ 引述《shotholisi (呆れて白目をむく)》之銘言:
: 就算台積電不靠EUV作得出5奈米又如何!
: 中蕊不靠EUV又作不出來5奈米!
: 中國大陸這邊的製造業從業人員,工作態度普遍都遠不如台灣人,素質比台灣人還爛!: : 中芯5奈米沒了?台積電大老神分析:打臉一堆人
https://today.line.me/tw/v2/article/8n3NN8V
傳中芯國際悄悄出貨 7 奈米晶片,還將進一步提高產能
外媒報導,雖然美國整府限制出口 14 奈米以上先進製程設備給中國,但中國晶圓代工廠中芯國際悄悄突破限制,開始交貨 7 奈米晶片,領先美國與歐洲半導體廠商。
中國最大晶圓代工廠中芯國際,製程已慢慢追上台積電、三星等領先晶圓代工廠,且中芯國際業績快速接近世界第三大晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries),甚至利潤還較高,是因透過國家大量補助,加上挖角台積電人才。
市場消息指出,中芯國際悄悄量產晶片,給智慧手機甚至世界最快的超級電腦等各種應用使用。晶片採中芯國際 7 奈米節點生產,稱為 N+2 節點。這消息不是中芯國際親口承認,而是來自逆向工程和拆解公司 TechInsights。
TechInsights 於市場買晶片,送到實驗室研究,得到以上結果。中芯國際當然不會公開討論,因害怕受美國制裁。但非常清楚的是,中芯國際正透過供應公開市場商用晶片擴展晶圓代工,且比任何美國或歐洲晶圓代工廠先進。美國雖對英特爾寄予厚望,但截至目前還沒有 Intel 7 製程生產的晶片,英特爾也還在發展代工業務,美國或歐洲晶圓代工廠最先進製程,只有格羅方德 12 奈米製程。
中芯國際 7 奈米製程就像台積電和英特爾 7 奈米製程,不需使用極紫外光(EUV)曝光設備。中芯國際將製程推至 7 奈米製程,是開創性發現,因美國商務部本限制任何 14
奈米以上先進製程的半導體製造設備出口至中國。幾乎所有中芯國際 14 奈米製程設備,也可用於 7 奈米製程,所以突破門檻不高。
中芯國際可能無法取得 EUV,無法發展 7 奈米節點以下先進製程,但隨著時間過去,中芯國際應能大大提升 7 奈米產能。反觀美國半導體企業,目前只全心希望晶片法案補助通過,強化生產力,可說是仍處於沉睡狀態,使美國逐漸失去半導體產業優勢。
中芯國際客戶 MinerVa 表示,中芯國際 7 奈米製程晶片自 2021 年 7 月開始生產。
2021 年 9 月 22 日 MinerVa 官網就更新產品訊息和圖片,是一個 19.3 平方公分的小晶片,僅用於加密貨幣挖礦。但未來這製程應可擴大應用範圍,於高階運算和消費型產品出現。
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五奈米不知 不過七奈米達成
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正常 全世界只有黃種高學歷願意輪班
你叫常春藤輪班試試看阿
大概把DUV極限榨乾了吧
19.3平方公分應該可以用手刻吧
你可能忘了硬督人
林本堅蠻厲害的 預言正確 中芯用現有設備
真的做到7奈米了
話說回來中心可以做到7奈米 聯電真的要加油
做得到是一回事 但重點是良率阿
良率低就拉高成本 太低的話沒有商業價值
只是在炒新聞 騙騙金主投資者進來
聯電放棄衝高階製程 默默當二線務實多了
其實我想問那晶片面積是單位錯誤還是
怎麼樣 4.4cm휴.4cm算小?
大約4萬um x 4萬um 不小了~~
金主投資者對中芯不重要啊 對面就是
國家大補貼年代 又不是玩自由經濟那套
七奈米也蠻屌的 狂
他們現在在搞內需自製率 就跟美國晶片
補貼法案要求你在地生產 良率做輸台積
你其他中國低賽晶片商 還不是要吞
原文是4.6mm*4.2mm 到這變平方公分
如果那台操爆了 怎麼維修?
做大面積良率就崩了吧
看新聞說拆解結果跟gg 很像?
然後良率勒? 三星也整天彎道超車阿
台積的7nm不就intel的10nm 何來中國做出7nm
歐美做不出7nm的說法?
欸不對,intel7 查新聞明明有產品了,這
新聞是不是國外媒體幫晶片法案帶風向
這篇報導通篇胡說八道。Intel 7奈米還沒
產品呢。現在連第十二代筆電都不好買,
而第十二代是十奈米…
繼續吹口哨壯膽
不怕 手刻晶片活10年
6
有點不太一樣,大陸現在對自家IC設計業者下單 很多是怕死美國制裁,說不好聽點,自家IC再爛,碰到美國制裁可能還可以供貨 到時就是有和沒有的問題了 現在甚至連大陸自家的FPGA晶片都開始有人在用了 另外一點,這次是有人去拆礦機時發現的X
台積已經成立35年了 SMIC成立到現在連20年都不到 台積和smic相差超過15年的成立時間差距被 smic如此迅速的追趕到<5年的技術差距 以這速度根本不用幾年台積就只能在smic的車尾燈後方吃灰了XD6
就算台積電不靠EUV作得出5奈米又如何! 中蕊不靠EUV又作不出來5奈米! 中國大陸這邊的製造業從業人員,工作態度普遍都遠不如台灣人,素質比台灣人還爛! 我們廠內中高階陸幹拿的薪資,有的還是中蕊等級 也是那種鳥鳥的工作態度3
有設備的情況下理論上是真的可以啊 但實際上做不做的到又是另一件事了..... 這就跟跑步一樣 , 每個人都有可能跑的跟卡爾路易士一樣快 但實際上..? 呵呵呵 中時這種標題 , 看了真的讓人感覺到可憐又可笑
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[情報] Intel第14代處理器生產可能由台積電通包Digitimes 英特爾Meteor Lake藍圖傳修正 台積電5奈米家族有機會通包? 陳玉娟/新竹 2022-05-0437
[情報] 三星正式宣布量產GAA架構3奈米晶片三星正式宣布量產GAA架構3奈米晶片 鉅亨網編譯羅昀玫2022/06/30 10:43 三星正式宣布量產GAA架構3奈米晶片 (圖片:三星) 三星電子週四 (30 日) 正式宣布量產 GAA 架構的 3 奈米製程,成為全球第一家量產 332
[情報] 三星 3 奈米當前良率最高僅 20%,未來若三星 3 奈米當前良率最高僅 20%,未來若無提升將難爭取高通訂單 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 04 月 18 日 17:30 根據外媒報導,南韓三星的晶圓代工部門先前展示了其在 3 奈米節點 GAA 技術上的進展,而現階段的良率僅維持在 10%~20% 之間。這數字相較於贏得行動處理器大高通的 Snapdragon 8 Gen 1 行動處理器訂單的 4 奈米製程,雖然 4 奈米有較高的 35% 良率。但是較台積電 4 奈米製程的良率達到 70% 的情況,這依然是一個糟糕的數字。 外媒《wccftech》報導,就是因為三星晶圓代工部門在 4 奈米製程的良率上僅達到 35% 的比例,這才使得高通不得不痛下決心,將 Snapdragon 8 Gen 1 及 Snapdragon 8 Gen 1+ 兩款旗艦型處理器的代工訂單,緊急由三星抽單轉交給台積電來進行代工生產。至於,三星即將要量產的 3 奈米製程,則是預計未來在沒有大幅度提升良率的情況下,即便要付出較高的生產成本,則高通方面依然會將下一代的旗艦型行動處理器 Snapdragon 8 Gen 2 交給台積電代工,而不是交給三星。 報導引用消息人士的說法指出,三星的 3 奈米製程現階段被用於生產公司內部自己的晶圓,可能是用以生產 Exynos 系列行動處理器。因為先前就有消息表示,三星正在為自家未來的 Galaxy 系列智慧型手機開發全新的 Exynos 行動處理器,只是當時並不確定這些產品是否會利用 GAA 技術的 3 奈米製程來打造。23
Re: [新聞] 美將協助日本量產2奈米半導體日經其實一直都在放半導體過度集中台灣很危險的風向 尖端半導體台灣一極化風險提升 14.html 台積電強大引起美國焦慮21
[討論] 聯電到現在14/12奈米營收仍為零?節錄 t.ly/nrbY IC設計大客戶緊相依 催促聯電重啟14奈米生產 "聯電2017年宣布退出10奈米以下戰場,製程技術止步在14/12奈米世代,到現在14/12奈米 營收仍為零,不過隨著近年多家客戶瘋狂下單28/22奈米與繳交鉅額預付款包產能,對其10
Re: [問卦] 為什麼中國砸不出一個台積電?真的就外行人說外行話 業界誰不知道同等製程裡面中芯的設備都是用最先進的 EUV以下設備中芯根本不缺 但台積電用DUV搞定7 奈米 中芯卻連10奈米都做不出來9
[情報] INTEL傳8月訪台,修改3奈米製程生產計劃科技媒體《WCCFTech》近日報導,消息稱英特爾CEO格爾辛格(Pat Gelsinger) 8月將到訪台積電,以修改3奈米晶片生產計劃。 英特爾第14代Meteor Lake原計劃2022年底量產,並於2023年上半年推出 如今有消息稱將延後到2023年底 作為英特爾GPU繪圖晶片代工企業,台積電的3奈米製程的計劃將受到影響。6
Re: [新聞] 台積電穩了!死敵3奈米良率慘況曝光 難幫補一篇舊聞 2022/01 三星拚2奈米2025超車台積 業界卻爆這弱點 先進製程目前僅剩下台積電、英特爾以及三星電子競爭,三星更搶先在2022年上半年量產 3奈米製程GAA技術,台積電則是延用FinFET架構、在今年下半年量產3奈米製程,但業界5
[情報] 台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet台積電 2 奈米製程採奈米片 Nanosheet 技術,與英特爾/三星競爭 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 06 月 09 日 11:00 | 分類 IC 設計 , 晶片 外媒《Extremetech》報導,晶圓製造的 FinFET 電晶體技術是自 2011 年以來開始使用,但隨著節點不斷縮小,FinFET 電晶體技術將被別的技術取代。台積電更新技術藍圖指出,準備好生產 2 奈米時,就會轉向奈米片 (Nanosheet) 晶體管技術,英特爾和三星也宣布類似計畫。 《EEtimes》報告討論台積電未來計畫,今年底開始 3 奈米量產,確認 3 奈米製程不會採用奈米片技術。奈米片是種環繞柵極 (GAA) 晶體管,有浮動晶體管鰭、柵極圍繞故得名。之前英特爾宣布 RibbonFET 計畫,技術就類似奈米片。台積電預計 2 奈米奈米片量產 2025 年開始,但英特爾藍圖是 RibbonFET 於 2024 年第三季亮相。三星已在 3 奈米製程轉向奈米線 (Nanowire) 製程,並宣布上半年量產。 比較台積電和英特爾量產時程,據經驗「量產」定義略有不同。英特爾產品上零售市場前,較短時間就宣布量產。台積電是向客戶銷售產品,客戶自行整合,因此台積電宣布量產到商用化產品出現需較長時間。
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